El calendario establece que los procesadores Alder Lake dejarán de aceptarse como pedido a partir del 24 de julio de 2026. Los últimos envíos se realizarán hasta el 22 de enero de 2027. Esta ventana temporal permite planificar renovaciones de equipos y prever disponibilidad. La retirada no implica una desaparición inmediata, pero sí marca el final de una generación que abrió la puerta a arquitecturas híbridas con núcleos de rendimiento y núcleos de eficiencia. Esta estructura combinada permitió mejorar cargas mixtas y optimizar consumo energético.

La plataforma LGA 1700 ha sido una de las más longevas dentro del catálogo de Intel. Ha soportado tres generaciones consecutivas, con compatibilidad tanto con DDR4 como con DDR5. Esta doble opción facilitó configuraciones económicas y también montajes de gama alta. La situación actual del mercado de memoria, con escasez de módulos DDR5, ha provocado que muchos usuarios regresen a configuraciones DDR4. Esta circunstancia prolongó la vida útil de Alder Lake más de lo previsto inicialmente.

El anuncio también afecta a Sapphire Rapids, la cuarta generación de Xeon Scalable. Esta familia orientada a centros de datos y cargas profesionales entra igualmente en fase de retirada. El último día para realizar pedidos será el 26 de septiembre de 2025. Los envíos continuarán hasta el 31 de marzo de 2028. La diferencia de plazos respecto a Alder Lake responde a ciclos de renovación más largos en entornos empresariales. Los procesadores para servidores suelen mantenerse activos durante más tiempo debido a la estabilidad requerida en infraestructuras críticas.

La coexistencia de ambas retiradas deja a Raptor Lake y Raptor Lake Refresh como únicas opciones activas dentro del ecosistema LGA 1700. Estas generaciones cubrirán la demanda de sistemas basados en DDR4 y DDR5 hasta la llegada de nuevas plataformas. La transición obligará a quienes busquen montar equipos nuevos a centrarse en estas dos familias. La disponibilidad de placas base compatibles seguirá garantizada durante un tiempo, aunque la industria ya se prepara para el salto hacia nuevas arquitecturas.

El impacto de la retirada de Alder Lake se notará especialmente en el segmento de entrada. Muchos equipos económicos utilizan procesadores de esta generación debido a su equilibrio entre coste y rendimiento. La desaparición progresiva obligará a adoptar alternativas más recientes, con precios que pueden variar según la evolución del mercado. La industria confía en que la oferta de DDR5 se estabilice antes de que finalicen los envíos definitivos. Una normalización del suministro permitirá mantener precios competitivos y facilitar la transición hacia configuraciones más modernas.

La documentación técnica publicada este mes confirma que el proceso ya está en marcha. La retirada escalonada permite a distribuidores y fabricantes ajustar inventarios. También facilita a usuarios finales planificar actualizaciones sin precipitación. La evolución del mercado determinará si la transición se desarrolla con fluidez o si surgen tensiones en la cadena de suministro. La experiencia de ciclos anteriores indica que la retirada de una generación suele coincidir con la consolidación de la siguiente.

La serie Alder Lake ha sido una de las más populares de los últimos años. Su arquitectura híbrida marcó un cambio profundo en el diseño de procesadores de consumo. La retirada no resta importancia a su papel en la evolución del hardware doméstico. La llegada de nuevas generaciones continuará ese camino, pero la salida de Alder Lake cierra una etapa clave dentro del catálogo de Intel.

La entrada Intel deja de dar soporte a Alder Lake y Sapphire Rapids aparece primero en Tested.es.

Actualmente, el 40% de los smartphones de Xiaomi siguen utilizando procesadores de Qualcomm y MediaTek. Esto se debe a que la transición hacia una producción completamente autónoma requiere tiempo, inversión y pruebas exhaustivas. La fabricación de chips propios implica un proceso de desarrollo costoso y prolongado, donde la optimización y la eficiencia juegan un papel clave. Aunque el XRING 01 ya está presente en dispositivos como el Xiaomi 15S Pro y la Xiaomi Pad 7 Ultra, la compañía aún no ha revelado cuántas unidades planea producir ni si este chip se expandirá a otros modelos.

El XRING 01 destaca por su arquitectura de 12 núcleos, con una combinación de Cortex-X925, Cortex-A725 y Cortex-A520, lo que lo posiciona como un competidor directo de los procesadores más avanzados de Qualcomm y MediaTek. Además, incorpora una GPU Immortalis-G925 MC16, diseñada para mejorar el rendimiento gráfico y la eficiencia energética. A pesar de estas especificaciones de alto nivel, los primeros benchmarks en AnTuTu han mostrado resultados inferiores a los esperados, con un rendimiento un 13% menor al anunciado por Xiaomi.

La dependencia de Xiaomi de Qualcomm y MediaTek podría mantenerse por más tiempo debido a factores externos. Las posibles restricciones de exportación de EE.UU. sobre la tecnología china podrían afectar la relación de Xiaomi con TSMC, el fabricante de su nuevo chip. Si el gobierno estadounidense decide imponer sanciones, Xiaomi podría verse obligada a buscar alternativas dentro de China, lo que complicaría aún más su transición hacia la independencia tecnológica.

En definitiva, aunque el XRING 01 representa un hito para Xiaomi, la compañía aún tiene un largo camino por recorrer antes de prescindir completamente de Qualcomm y MediaTek. La evolución de su estrategia dependerá de múltiples factores, desde la aceptación del mercado hasta las regulaciones internacionales. Por ahora, Xiaomi sigue apostando por una combinación de chips propios y de terceros, asegurando un equilibrio entre innovación y estabilidad en su producción.

La entrada Xiaomi XRING 01: ¿El fin de Qualcomm y MediaTek aparece primero en Tested.es.

El sistema Crusher es una plataforma de prueba para la próxima supercomputadora Frontier de ORNL, que contará con las últimas CPU AMD EPYC ‘Trento’ y las GPU Instinct MI250X ‘Aldebaran’. Como tal, tiene un número menor de nodos, pero aun así, tiene mucho impacto dada la gran cantidad de núcleos de CPU / GPU que se integran dentro de él.

Crusher es  un  sistema de seguridad moderada del Centro  Nacional de  Ciencias Computacionales  (NCCS)  que  contiene hardware idéntico  y software similar al  próximo  sistema Frontier.    Se    utiliza  como  banco de pruebas de acceso temprano para los equipos del Centro para la Preparación  Acelerada de Aplicaciones  (CAAR) y el Proyecto de Computación Exaescala  (ECP),  así  como  para  el personal de NCCS y  nuestros  socios   proveedores.

 vía ORNL

La descripción general publicada por ORNL establece que el HPC de prueba Crushes constará de 2 gabinetes, uno con 128 nodos de cómputo y el otro con 64 nodos de cómputo, totalizando 192 nodos de cómputo en la configuración completa. Cada nodo cuenta con una sola CPU AMD EPYC 7A53 de 64 núcleos que se basa en la arquitectura de CPU EPYC optimizada de 3.ª generación. Sabemos que Frontier va a ser alimentado por las CPU Trento de AMD, que es una versión optimizada del chip Milan. Cuenta con los mismos 64 núcleos y 128 hilos, pero optimizaciones para los relojes y la eficiencia energética. Cada CPU tendrá acceso a 512 GB de memoria DDR4.

Para el lado de la GPU,  cada  nodo  contará  con  cuatro GPU AMD  Instinct  MI250X, que  incluyen  2  GCD  y  cada  nodo  trata el GCD como una GPU separada,  por lo que  Crusher  tendrá    acceso  a  8  GPU. en total. Cada  GPU MI250X  ofrece hasta  52  TFLOP de potencia de  cómputo pico FP64, 220 unidades de  cómputo  (110 por GCD) y 128 GB  de memoria   HBM2e  (64 GB por GPU)  para un ancho de banda  de hasta  3,2 TB/s por acelerador   MI250X.  Cada  GCD  se conecta entre sí a través    de un  enlace  Infinity  Fabric que  ofrece un ancho de banda bidireccional de 200 GB/s.

Hablando  de interconexiones, las CPU AMD EPYC están conectadas    a la GPU  con  Infinity  Fabric  con  un ancho de banda pico  de  36 + 36 GB / s. Los  nodos Crusher  se  conectan  a través de  cuatro NIC HPE  Slingshot  de 200 Gbit por  segundo    (25 GB/s)  que proporcionan  un ancho de banda de inyección de nodos  de  800 Gbps (100 GB/s).

Hay [4x] dominios NUMA por nodo y [2x] regiones de caché L3 por NUMA para un total de [8x] regiones de caché L3. Las 8 GPU están asociadas a una de las regiones L3 de la siguiente manera:

• NUMA 0:

• subprocesos de hardware 000-007, 064-071 | GPU 4
  • subprocesos de hardware 008-015, 072-079 | GPU 5

• NUMA 1:

• subprocesos de hardware 016-023, 080-087 | GPU 2
  • subprocesos de hardware 024-031, 088-095 | GPU 3

• NUMA 2:

• subprocesos de hardware 032-039, 096-103 | GPU 6
  • subprocesos de hardware 040-047, 104-111 | GPU 7

• NUMA 3:

• subprocesos de hardware 048-055, 112-119 | GPU 0
  • subprocesos de hardware 056-063, 120-127 | GPU 1

Además de eso, el HPC Crusher también usa 250 PB de almacenamiento con una velocidad de escritura máxima de 2.5 TB/s, con acceso al sistema de archivos basado en NFS en todo el centro. Espere ver más de las plataformas EPYC CPU e Instinct GPU de AMD cuando entren en funcionamiento en la supercomputadora Frontier este año.

La entrada HPC Crusher con AMD Epyc y GPU Instinct MI250X aparece primero en Tested.es.

En su implacable búsqueda de la Ley de Moore, Intel está revelando avances clave en empaques, transistores y física cuántica fundamentales para avanzar y acelerar la computación hasta bien entrada la próxima década. En el IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Intel describió su camino hacia una mejora de la densidad de interconexión de más de 10 veces en el empaquetado con enlace híbrido, una mejora del área del 30% al 50% en el escalado de transistores, grandes avances en nuevas tecnologías de potencia y memoria, y nuevos conceptos en física que algún día pueden revolucionar la computación.

«En Intel, la investigación y la innovación necesarias para avanzar en la Ley de Moore nunca se detienen. Nuestro Grupo de Investigación de Componentes está compartiendo avances clave de investigación en IEDM 2021 para brindar tecnologías revolucionarias de procesos y empaques para satisfacer la insaciable demanda de computación potente que nuestra industria y sociedad dependen de . Este es el resultado del trabajo incansable de nuestros mejores científicose ingenieros. Continúan estando a la vanguardia de las innovaciones para continuar con la Leyde Moore».

–Robert Chau, Intel Senior Fellow y director general de Components Research

La Ley de Moore ha estado detrás de innovaciones en computación que satisfacen las demandas de cada generación de tecnología, desde mainframes hasta teléfonos móviles. Esta evolución continúa hoy en día a medida que avanzamos hacia una nueva era de computación con datos ilimitados e inteligencia artificial.

La innovación continua es la piedra angular de la Ley de Moore. El Grupo de Investigación de Componentes de Intel se compromete a innovar en tres áreasclave: tecnologíasde escalado esenciales para entregar más transistores; nuevas capacidades de silicio para la potencia y gananciasdememoria; y la exploración de nuevos conceptos en física para revolucionar la forma en que el mundo hace computación. Muchas de las innovaciones que rompieron las barreras anteriores de la Ley de Moore y están en los productos de hoy comenzaron con el trabajo de Investigación de Componentes, incluido el silicio tensado, el metal Hi-K puertas, transistores FinFET, RibbonFETe innovaciones de embalaje que incluyen EMIB y Foveros Direct.

Los avances revelados en IEDM 2021 demuestran que Intel está en camino de continuar el avance y los beneficios de la Ley de Moore mucho más allá de 2025 a través de sus tres áreas de búsqueda de caminos.

1. Intel está llevando a cabo una investigación significativa en tecnologías de escalado esenciales para ofrecer más transistores en futuras ofertas de productos:
   • Los investigadores de la compañía han esbozado soluciones para los desafíos de diseño, proceso y ensamblaje de la interconexión de unión híbrida, previendo una mejora de la densidad de interconexión de más de 10 veces en el embalaje. . En el evento Intel Accelerated en julio,Intel anunció planes para introducir Foveros Direct, que permite lanzamientos de protuberancias de menos de 10 micras, proporcionando un aumento de orden de magnitud en la densidad de interconexión para Apilamiento 3D. Para permitir que el ecosistema obtenga beneficios de los envases avanzados,Intel también está pidiendo el establecimiento de nuevos estándares de la industria y procedimientos de prueba para permitir un híbrido. ecosistema de chiplets deunión.           
   • Mirando más allá de su RibbonFET completo, Intel está dominando la próxima era post-FinFET con un enfoque para apilar múltiples transistores (CMOS) que tienen como objetivo lograr una mejora maximizada del escalado lógico del 30% al 50% para el avance continuo de la Ley de Moore mediante la instalación de más transistores por milímetro cuadrado.
   • Intel también está allanando el camino para el avance de la Ley de Moore en la era angstrom con una investigación prospectiva que muestra cómo se pueden usar materiales novedosos de solo unos pocos átomos de espesor para fabricar transistores que superen las limitaciones de los canales de silicio convencionales, permitiendo millones de transistores más por área de troquel para una computación cada vez más poderosa en la próxima década.
2. Intel está aportando nuevas capacidades al silicio:
   • Las tecnologías de energía más eficientes están avanzando a través de la primera integración mundial de interruptores de potencia basados en GaN con CMOS basado en silicio en una oblea de 300 mm. Esto prepara el escenario para la entrega de energía de baja pérdida y alta velocidad a las CPU, al tiempo que reduce los componentes y el espacio de la placa base.
   • Otro avance es la capacidad de lectura/escritura de baja latencia líder en la industriade Intel que utiliza nuevos materiales ferroeléctricos para una posible tecnología DRAM integrada de próxima generación que puede ofrecer una mayor memoria. recursos para abordar la creciente complejidad de las aplicaciones informáticas, desde los juegos hasta la IA.
3. Intel está buscando un rendimiento masivo con computación cuántica basada en transistoresde silicio, así como interruptores completamente nuevos para una computación masivamente eficiente en energía con nuevos dispositivos de temperatura ambiente. En el futuro, estas revelaciones pueden reemplazar a los transistores MOSFET clásicos mediante el uso de conceptos completamente nuevos en física:
   • En IEDM 2021, Intel demostró la primera realización experimental del mundo de un dispositivo lógico magnetoeléctrico deórbita de espín (MESO) a temperatura ambiente, que mostró la capacidad de fabricación potencial para un nuevo tipo. de transistor basado en la conmutación de imanesa nanoescala.
   • Intel e IMEC están progresando con la investigación de materiales espintrónicos para llevar la investigación de integración de dispositivos cerca de realizar un dispositivo de spin-torque completamente funcional.
   • Intel también mostró flujos de proceso de qubit completos de 300 mm para la realización de computación cuántica escalable que es compatible con la fabricación de CMOS e identifica los próximos pasos para futuras investigaciones.

La entrada IEDM 2021: Intel revela su plan para acelerar la ley de Moore aparece primero en Tested.es.

Ese es el tema de la presentación: la necesidad de hardware con capacidad de exaescala está ahora sobre nosotros y AMD tiene como objetivo satisfacer esa necesidad con estos nuevos grandes productos. Comencemos con los procesadores de servidor EPYC actualizados de AMD, que siguen siendo compatibles con el zócalo SP3 (por lo que es una optimización de lo ya conocido, aparentemente).

La línea EPYC de 3ª generación de AMD basada en tecnología Zen 3, ahora con caché en V, tridimensional, a bordo. Se puede reservar ya con hasta 64 núcleos y 128 hilos. Solo que ahora se refuerzan con tres veces la cantidad de caché L3, lo que equivale a 804 MB en total por socket. Con lo que AMD afirma que ofrecerá un aumento promedio masivo del 50% en cargas de trabajo específicas. Hasta ahora, la cifra que se ha asociado con la V-cache 3D es del 15 por ciento, que es la cantidad que AMD comunicó para aplicaciones de juegos en su posible línea Zen 3+.

No se trata solo de comparar con sus propios productos. AMD reclama una ventaja de rendimiento sobre los procesadores Xeon de Intel. Por ejemplo, dicen que un sistema 2P EYPC 75F3 con 32 núcleos supera a un sistema 2P Xeon 8362 (también con 32 núcleos) hasta en un 33 por ciento en Ansys Mechanical. Hasta un 34 por ciento en Altair Radioss (Análisis Estructural) y hasta un 40 por ciento en Ansys CFX (Dinámica de Fluidos).

El mensaje de AMD es que sus procesadores EPYC actualizados están diseñados a medida para cargas de computación técnica. La adición de 3D V-cache les permite procesar cosas como simulaciones de colisión, ingeniería química, verificación de diseños y demás a un ritmo mucho más rápido.

Los procesadores EPYC actualizados son solo una parte de la ecuación. AMD también anunció nuevas aceleradoras de la serie Instinct MI200, que son las primeras en admitir una GPU multi-núcleo y, también, una memoria HMB2e de 128 GB.

La nueva serie se basa en la arquitectura CNDA 2 de AMD y culmina en el Instinct MI250X. Según AMD, el acelerador insignia ofrece un rendimiento hasta 4,9 veces mejor que los «aceleradores de la competencia» para aplicaciones HPC de doble precisión (FP64) y supera los 380 TFLOP de pico teórico en precisión media (FP16) para cargas de trabajo de IA.

«Los aceleradores AMD Instinct MI200 ofrecen un rendimiento de LIDERAZGO en HPC e IA, ayudando a los científicos a dar saltos generacionales en la investigación que pueden acortar drásticamente el tiempo entre la hipótesis inicial y el descubrimiento«, dijo Forrest Norrod de AMD. “Con innovaciones clave en arquitectura, empaquetado y diseño de sistemas, los aceleradores de la serie AMD Instinct MI200 son las GPU de centro de datos más avanzadas de la historia, proporcionando un rendimiento excepcional para supercomputadoras y centros de datos para resolver los problemas más complejos del mundo«.

La principal competencia aquí es NVIDIA y su arquitectura Ampere. Según AMD, Instinct MI250X ofrece un «salto cuantitativo en el rendimiento de HPC e IA» sobre el producto A100 de su rival.

En cuanto a las especificaciones, Instinct MI250X integra 220 unidades de cómputo y 14.080 procesadores de flujo. También cuenta con la asignación de memoria HBM2e completa de 128 GB, con una frecuencia de reloj de 1,6 GHz y vinculada a un bus de 8.192 bits, para hasta 3,2 TB/s de ancho de banda. Hay una variante no X (Instinct MI250) con 208 unidades de cómputo, 13,312 procesadores de flujo y la misma configuración de memoria.

El diseño multi-die con la nueva tecnología 2.5D Elevated Fanout Bridge (EFB) de AMD permite 1.8 veces más núcleos y 2.7 veces más ancho de banda de memoria en comparación con las GPUde la generación anterior de AMD, dicen desde la compañía. También se beneficia de hasta ocho enlaces Infinity Fabric, que conectan la serie Instinct MI200 a las CPU EPYC en el nodo, para una coherencia de memoria CPUK / GPU unificada.

El argumento general de AMD es que los centros de datos pueden combinar sus últimos aceleradores con sus chips EPYC actualizados y la plataforma de software abierto ROCm 5.0 para «impulsar nuevos descubrimientos para la era de la exaescala». En concreto, AMD apunta a cosas como abordar el cambio climático y la investigación de vacunas, como dos posibles ejemplos.

Instinct MI250X y el MI250 están disponibles en el módulo acelerador de cómputo de hardware abierto o en el factor de forma del módulo acelerador OCP, mientras que este último también se ofrecerá en un factor de forma de tarjeta PCIe en servidores OEM. Junto con los chips EPYC actualizados, todo esto llegará al mercado en el primer trimestre del próximo año.

La entrada Nuevos AMD EPYC con V-Cache 3D y GPU Instinct MI200 aparece primero en Tested.es.

The moment you realize that the M1 Max chip’s 400GBs of memory bandwidth is almost as fast as the PlayStation 5’s 448GBs. So we’re basically getting a PS5 in a laptop. pic.twitter.com/2DxtIN0nwo

— Vadim Yuryev (@VadimYuryev) October 18, 2021

El YouTuber Vadim Yuryev compartió algunas estadísticas de rendimiento útiles del M1 Max, afirmando que puede ofrecer 10.40 Teraflops de rendimiento. En comparación,la PS5 puede alcanzar 10.28 Teraflops, lo que la convierte en una línea del cabello más lenta que el chip personalizado más potente de Apple. Al compararlo con el M1, el M1 Max es cuatro veces más rápido, ya que el SoC anunció el año pasado solo pudo alcanzar los 2,6 Teraflops.

Sin embargo, el hecho de que el M1 Max sea más rápido que la PS5 en rendimiento de Teraflops, no significa que logrará la victoria en otras categorías. Por ejemplo, el chipset puede alcanzar un ancho de banda de memoria máximo de 400 GB/s, mientras que la PS5 puede obtener hasta 448 GB/s. Por otra parte, este silicio personalizado no requiere una carcasa masiva para funcionar al máximo, y el hecho de que esté obteniendo el rendimiento de la consola de la generación actual desde el interior de una MacBook Pro es completamente impresionante.

El M1 Max de Apple sigue siendo más lento que PS5 en ancho de banda de memoria

Vadim Yuryev

Tengamos en cuenta que las estadísticas que Yuryev compartió del ancho de banda de memoria de 400 GB/s del M1 Max son para su configuración más alta, que incluye una GPU de 32 núcleos y 64 GB de RAM unificada. Esto significa que es posible que no vea el mismo nivel de rendimiento si el M1 Max está configurado con menos memoria o menos núcleos de GPU, pero si nos encontramos con eso. comparación, nos aseguraremos de informar a nuestros lectores.

En una comparación de benchmark anterior, se demostró que el M1 Max es dos veces más rápido que el M1 en rendimiento multinúcleo y, si este es el nivel de rendimiento que pueden alcanzarlos chips portátiles de Apple, no podemos esperar a ver qué ha planeado el gigante tecnológico para el futuro Mac Pro. ¿Qué te parecieron estas estadísticas? Háganoslo saber en los comentarios.

La entrada ¿El Apple M1 Max es más rápido que una PS5? aparece primero en Tested.es.

Los disipadores de CPU Corsair Elite AIO vienen en tres versiones: H170i ELITE LCD (420 mm), H150i ELITE LCD (360 mm) y H100i ELITE LCD (240 mm). Los tres modelos vienen con un panel LCD de 2.1 «en la cabeza de la bomba, que se puede utilizar para mostrar métricas importantes como temperaturas, RPM del ventiladory velocidades de la bomba. Pero para aquellos que quieran más personalización, Corsair también añade la opción de personalizar la pantalla LCD con imágenes estáticas e incluso GIFs animados. El anillo que rodea la pantalla LCD también es compatible con RGB y cuenta con 24 LED RGB direccionables individualmente que se pueden personalizar a través de la suite de software Corsair iCUE.

En cuanto al disipador Elite AIO en sí, Corsair ha incluido sus nuevos ventiladores ML RGB ELITE Series que cuentan con tecnología de levitación magnética, mientras la bomba en sí está asensada sobre una placa fría de cobre. Ha sido optimizado térmicamente y viene con pasta térmica pre-aplicada. La bomba garantiza una emisión de ruido baja y los nuevos enfriadores son compatibles con casi todos los tipos de slots nuevos, como LGA 1700, LGA 115x, LGA 2066, AM4 y sTRX4.

Los nuevos H100i ELITE LCD, H150i ELITE LCD y H170i ELITE LCD también están equipados con nuevos ventiladores ML RGB ELITE Series, que ofrecen un potente flujo de aire concentrado, con el rendimiento de los rodamientos de levitación magnética y la tecnología AirGuide, iluminada por ocho LED RGB individuales y direccionables en cada ventilador.

Los ventiladores ML RGB ELITE también están disponibles por separado en tamaños de 120 mm y 140 mm. Con marcos en blanco o negro, por lo que puede aprovechar su alto rendimiento para enfriar todo su sistema como bueno.

Toda la línea ELITE AIO LCD de Corsair está disponible a partir de ahora, con una garantía de 6 años, mientras que los ventiladores y los kits de actualización LCD están respaldados por una garantía de 2 años. Los precios de cada enfriador LCD Elite se mencionan a continuación:

• iCUE H100i ELITE LCD Display Liquid CPU Cooler – 259,99€
• iCUE H150i ELITE LCD Display Liquid CPU Cooler – 289,99€
• iCUE H170i ELITE LCD Display Liquid CPU Cooler – 309,99€
• CORSAIR iCUE ELITE CPU Cooler LCD Display Upgrade Kit – TBC / 99,99€

ML RGB ELITE Series 120mm

• Ventilador individual: 34,99€
• Kit de ventilador triple con Lightning Node CORE: 109,99€

ML RGB ELITE Series 140mm

• Ventilador individual: 39,99€
• Twin Pack con Lightning Node CORE: 99,99€

La entrada Nuevo disipador Elite AIO de Corsair en camino aparece primero en Tested.es.

Los procesadores Snapdragon 888 mantendrán un formato integrado con diversos componentes que tradicionalmente se habían ofrecido por separado. Entre ellos, destaca la coletilla 5G, que será cubierta por su propio desarrollo, el sistema de módem Snapdragon X60. Sin embargo, hay otros frentes en los que se espera un salto de calidad y potencia. No solo en las comunicaciones con los últimos estándares del mercado, sino en la capacidad de cálculo.

LO MÁS AVANZADO DE ARM EN EL SNAPDRAGON 888

Como base para los chips Snapdragon 888, el diseño anunciado integra la versión Cortex-X1 de ARM a hasta 2,84 GHz. Su oferta más potente, que supone una mejora sustancial frente a procesadores anteriores, con aspiraciones a cubrir dispositivos de sobremesa, servidores y mucho más que móviles o tablets. También vemos Adreno 660 como GPU, con un prometido 35% más de potencia de cálculo en la parte gráfica y de proceso avanzado frente a la generación anterior.

La RAM máxima llega a 16GB of LPDDR4x-2133 de memoria o LPDDR5-3200, cuando esta última se algo accesible para los integradores. Parece una cifra suficiente para móviles o tablets, aunque puede quedarse por debajo de lo deseado si este chip aspira a llegar, tal cual, a equipos de sobre mesa. El ejemplo de Apple vuelve a ser el enemigo a batir, pues en sus planes está abandonar la arquitectura x86 de Intel y utilizar solo micros propios basados en ARM. De ahí que la posibilidad de usar cantidades de memoria superiores a 16 GB nos parezca interesante.

Otro punto en el que este Snapdragon 888 promete un salto de calidad es en el consumo de energía. Con un 20% más de eficiencia, gracias en parte a su proceso de fabricación de 5nm, puede ayudar a aligerar el peso de muchos dispositivos. Esto, si las soluciones de refrigeración acompañan al nuevo diseño. La autonomía, por supuesto, puede ser el frente donde convenza a los usuarios. Al integrar el modem 5G en el encapsulado, en lugar de en otro chip, podemos pensar en que este nuevo producto de Snapdragon cumplirá con las expectativas. Aunque está por ver si también estará a buen nivel en comparación con dispositivos que integren 4G o LTE.

La conectividad, con cifras de 7,5GHz en descarga a través de redes 5G, se complementa con Wi-Fi 6 y la inminente Wi-Fi 6E. Estándares que se popularizarán en 2021, con sus velocidades de hasta 3,6 Gb/s, como aliados de Bluetooth 5.2, también compatible con la nueva apuesta de Snapdragon.

El lado de la Inteligencia Artificial, nuevo frente en todo chip para móviles que se precie, está cubierto por el procesador Hexagon 780. Una plataforma de sexta generación que promete ofrecer un salto de tres veces lo que da actualmente el Snapdragon 865. Este apunta a 26 TOPS de potencia de cálculo, con conexión al Qualcomm Sensing Hup de segunda generación. Con ello, se propone optimizar el consumo, mejorar la sensibilidad y potenciar la seguridad. Al mismo tiempo, un beneficiado directo de la Inteligencia Artificial de nueva generación será la cámara.

El procesador Spectra 580 ISP, permitirá la captura de vídeos HDR a resoluciones 4K o imágenes con máxima calidad a más de 84 megapíxeles, con profundidad de color de 10 bit. El control de varias cámaras será parte de sus funciones, con independencia total para cada una y un ancho de banda que promete evitar cuellos de botella o esperas.

Los rumoreados Samsung Galaxy S21 o un hipotético OnePlus 9 Series son candidatos a inaugurar el mercado de los Snapdragon 888 integrados en móviles de gama alta. Aunque quizá Xiaomi sorprenda y, posiblemente, veamos alguna solución más adaptada a la productividad.

La entrada Procesador tope de gama Qualcomm Snapdragon 888 en 2021 aparece primero en Tested.es.

El caso es que, teóricamente, los electrones serán manejables y predecibles hasta que el canal por el que fluyen tenga unos 5 nanometros. Ahí se ha establecido el limite físico, teórico, para la Ley de Moore. Con lo que, si ahora tenemos tecnologías FinFET de 14nm y el año que viene, Intel, sacará sus Cannonlake con 10nm, la cosa pinta mal.

La Ley de Moore debe continuar

Una de las soluciones recientes, publicada en la prestigiosa Science, nos habla de llegar a 1nm. Sí, un salto impresionante, si se da dentro de no muchos años. Aunque, de momento, no pasa de ser un ensayo en el Departamento de Energía de la Universidad de Berkeley.

La solución del laboratorio universitario pasa por construir nanotubos de carbono que canalicen los electrones y estos sigan su camino previsto. El material clave, sin embargo, es el bisulfuro de molibdeno (MoS₂). Un compuesto formado por azufre y molibdeno, que se da de manera natural como molibdenita. De este se derivan lubricantes, sustancias para la refinación de petróleo y ya se emplea en electrónica desde hace años. Con lo que no parece que vaya a escasear pronto.

De momento, estamos ante un test. Una prueba sobre las posibilidades de construir transistores con puertas de tan solo 1nm. Pero es una línea de investigación más para frenar esta cuenta atrás y dar un respiro, de nuevo, a la famosa Ley de Moore. Que más bien, se trata de unas indicaciones, no de una afirmación universal.

La entrada La ley de Moore puede mantenerse con nanotubos aparece primero en Tested.es.

La misma tecnología empleada en sus nuevas tarjetas gráficas. Por lo que se obtiene una mejor eficiencia energética y rendimiento. Hace uso de una memoria caché L3 de 8 Mb con una de nivel L2 unificada de mayor tamaño, que mejora el ancho de banda.

Los procesadores AMD Zen ofrecen un 40 % más de rendimiento, comparados con la anterior generación

En la presentación de AMD, mostró la plataforma “Summit Ridge” un procesador de 8 núcleos y 16 hilos. Según su rendimiento, es comparable a un Procesador  Intel Core i7 «Broadwell-E». Con  una frecuencia de trabajo, de 3 GHz.

También hay que destacar el procesador «Naples» de 32 núcleos y 64 hilos basado en procesadores de servidores.

Gracias estos avances y a su tecnología, permitirán que el núcleo «Zen» utilizarse para una amplia gama de aplicaciones. Incluyendo sistemas sin ventilador 2 en 1, sistemas de alto rendimiento, y centro de datos.

Por otra parte, estos nuevos procesadores AMD Zen, han sido diseñados para las placas base con socket AM4. Es una nueva estructura de socket unificada, compatible con la 7ª generación de procesadores «Bristol Ridge» de la serie A.

No obstante, los primeros sistemas de escritorio con procesadores AMD de la 7ª generación están programados para la segunda mitad de 2016. Dispone de ranuras dedicadas para PCIe® USB, gráficos, datos y otras conexiones.

La plataforma AM4 proporciona una solución escalable, fiable y muy eficaz.
Por otra parte, AMD AM4 ofrece la implementación de la última tecnología y las siguientes características. Permite uso de memoria DDR4, PCIe de 3º generación, puertos USB 3.1 de 2ª generación con una transferencia de 10 Gbps. También cuentan con NVMe e interfaz SATA Express para el uso de discos duros SSD.

¿Serán los procesadores AMD Zen utilizados por las futuras consolas, Xbox Scorpio y PS Neo?

La entrada Procesadores AMD Zen de alto rendimiento aparece primero en Tested.es.