IEDM 2021 es el marco donde Intel dio a conocer una serie de nuevos anuncios que impulsarán y acelerarán la Ley de Moore más allá de 2025. Estas tecnologías van desde la incorporación de avances de la física cuántica, nuevas tecnologías de empaquetado y transistores y más.
En su implacable búsqueda de la Ley de Moore, Intel está revelando avances clave en empaques, transistores y física cuántica fundamentales para avanzar y acelerar la computación hasta bien entrada la próxima década. En el IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Intel describió su camino hacia una mejora de la densidad de interconexión de más de 10 veces en el empaquetado con enlace híbrido, una mejora del área del 30% al 50% en el escalado de transistores, grandes avances en nuevas tecnologías de potencia y memoria, y nuevos conceptos en física que algún día pueden revolucionar la computación.
«En Intel, la investigación y la innovación necesarias para avanzar en la Ley de Moore nunca se detienen. Nuestro Grupo de Investigación de Componentes está compartiendo avances clave de investigación en IEDM 2021 para brindar tecnologías revolucionarias de procesos y empaques para satisfacer la insaciable demanda de computación potente que nuestra industria y sociedad dependen de . Este es el resultado del trabajo incansable de nuestros mejores científicose ingenieros. Continúan estando a la vanguardia de las innovaciones para continuar con la Leyde Moore».
–Robert Chau, Intel Senior Fellow y director general de Components Research
La Ley de Moore ha estado detrás de innovaciones en computación que satisfacen las demandas de cada generación de tecnología, desde mainframes hasta teléfonos móviles. Esta evolución continúa hoy en día a medida que avanzamos hacia una nueva era de computación con datos ilimitados e inteligencia artificial.
La innovación continua es la piedra angular de la Ley de Moore. El Grupo de Investigación de Componentes de Intel se compromete a innovar en tres áreasclave: tecnologíasde escalado esenciales para entregar más transistores; nuevas capacidades de silicio para la potencia y gananciasdememoria; y la exploración de nuevos conceptos en física para revolucionar la forma en que el mundo hace computación. Muchas de las innovaciones que rompieron las barreras anteriores de la Ley de Moore y están en los productos de hoy comenzaron con el trabajo de Investigación de Componentes, incluido el silicio tensado, el metal Hi-K puertas, transistores FinFET, RibbonFETe innovaciones de embalaje que incluyen EMIB y Foveros Direct.
Los avances revelados en IEDM 2021 demuestran que Intel está en camino de continuar el avance y los beneficios de la Ley de Moore mucho más allá de 2025 a través de sus tres áreas de búsqueda de caminos.
- Intel está llevando a cabo una investigación significativa en tecnologías de escalado esenciales para ofrecer más transistores en futuras ofertas de productos:
- Los investigadores de la compañía han esbozado soluciones para los desafíos de diseño, proceso y ensamblaje de la interconexión de unión híbrida, previendo una mejora de la densidad de interconexión de más de 10 veces en el embalaje. . En el evento Intel Accelerated en julio,Intel anunció planes para introducir Foveros Direct, que permite lanzamientos de protuberancias de menos de 10 micras, proporcionando un aumento de orden de magnitud en la densidad de interconexión para Apilamiento 3D. Para permitir que el ecosistema obtenga beneficios de los envases avanzados,Intel también está pidiendo el establecimiento de nuevos estándares de la industria y procedimientos de prueba para permitir un híbrido. ecosistema de chiplets deunión.
- Mirando más allá de su RibbonFET completo, Intel está dominando la próxima era post-FinFET con un enfoque para apilar múltiples transistores (CMOS) que tienen como objetivo lograr una mejora maximizada del escalado lógico del 30% al 50% para el avance continuo de la Ley de Moore mediante la instalación de más transistores por milímetro cuadrado.
- Intel también está allanando el camino para el avance de la Ley de Moore en la era angstrom con una investigación prospectiva que muestra cómo se pueden usar materiales novedosos de solo unos pocos átomos de espesor para fabricar transistores que superen las limitaciones de los canales de silicio convencionales, permitiendo millones de transistores más por área de troquel para una computación cada vez más poderosa en la próxima década.
- Intel está aportando nuevas capacidades al silicio:
- Las tecnologías de energía más eficientes están avanzando a través de la primera integración mundial de interruptores de potencia basados en GaN con CMOS basado en silicio en una oblea de 300 mm. Esto prepara el escenario para la entrega de energía de baja pérdida y alta velocidad a las CPU, al tiempo que reduce los componentes y el espacio de la placa base.
- Otro avance es la capacidad de lectura/escritura de baja latencia líder en la industriade Intel que utiliza nuevos materiales ferroeléctricos para una posible tecnología DRAM integrada de próxima generación que puede ofrecer una mayor memoria. recursos para abordar la creciente complejidad de las aplicaciones informáticas, desde los juegos hasta la IA.
- Intel está buscando un rendimiento masivo con computación cuántica basada en transistoresde silicio, así como interruptores completamente nuevos para una computación masivamente eficiente en energía con nuevos dispositivos de temperatura ambiente. En el futuro, estas revelaciones pueden reemplazar a los transistores MOSFET clásicos mediante el uso de conceptos completamente nuevos en física:
- En IEDM 2021, Intel demostró la primera realización experimental del mundo de un dispositivo lógico magnetoeléctrico deórbita de espín (MESO) a temperatura ambiente, que mostró la capacidad de fabricación potencial para un nuevo tipo. de transistor basado en la conmutación de imanesa nanoescala.
- Intel e IMEC están progresando con la investigación de materiales espintrónicos para llevar la investigación de integración de dispositivos cerca de realizar un dispositivo de spin-torque completamente funcional.
- Intel también mostró flujos de proceso de qubit completos de 300 mm para la realización de computación cuántica escalable que es compatible con la fabricación de CMOS e identifica los próximos pasos para futuras investigaciones.
