SK Hynix ha dado un paso decisivo en la carrera por dominar la próxima generación de memoria DRAM. La compañía surcoreana ha comenzado a implementar seis capas de litografía EUV (Extreme Ultraviolet) en su nodo 1c DRAM, lo que marca un hito técnico en la industria. Esta evolución no solo mejora el rendimiento de los módulos DDR5 y HBM, sino que también posiciona a SK Hynix como líder en la transición hacia tecnologías High-NA EUV, que prometen una resolución aún más precisa en la fabricación de semiconductores.
La litografía EUV utiliza una longitud de onda de 13,5 nanómetros, lo que permite imprimir patrones más finos en los chips sin recurrir a técnicas de multipatronado complejas. Hasta ahora, los procesos DRAM combinaban capas EUV y DUV (Deep Ultraviolet), pero SK Hynix ha decidido apostar por una integración completa de seis capas EUV en su nodo 1c. Esta decisión mejora el rendimiento, la eficiencia energética y la rentabilidad de sus productos.
El nodo 1c DRAM representa la sexta generación de procesos en la clase de 10 nanómetros. SK Hynix ha logrado fabricar módulos DDR5 de 16 Gb con esta tecnología, alcanzando velocidades de hasta 8 Gbps y una eficiencia energética superior al 9% respecto a la generación anterior. Estos avances se han conseguido gracias a innovaciones en el diseño de circuitos, nuevos materiales para la litografía y una optimización del proceso de fabricación.
En el ámbito de la memoria de alto ancho de banda (HBM), SK Hynix planea utilizar 1c DRAM en sus futuros productos HBM4E, mientras que la versión HBM4 inicial seguirá basada en el nodo 1b. Esta estrategia permite una transición gradual hacia tecnologías más avanzadas, sin comprometer la producción actual. La empresa también ha colaborado con TSMC para desarrollar bases de silicio en nodos de 12 nm y 5 nm, lo que facilitará la integración de HBM4 con interfaces de hasta 2048 bits.
La adopción de High-NA EUV es el siguiente paso lógico. Esta tecnología, aún en fase de desarrollo, utiliza lentes de mayor apertura numérica para lograr una resolución superior. SK Hynix ya ha integrado su equipo EUV en el Instituto de Investigación de Tecnología del Futuro, lo que indica una clara intención de liderar esta transición. Aunque el coste de los equipos High-NA EUV supera los 300 millones de dólares por unidad, su potencial para reducir etapas de fabricación y aumentar el rendimiento justifica la inversión.
En resumen, SK Hynix está redefiniendo los estándares de la industria con su apuesta por el nodo 1c DRAM y la litografía EUV. Esta combinación permite fabricar chips más densos, rápidos y eficientes, tanto en DDR5 como en HBM. La integración futura de High-NA EUV consolidará su posición frente a competidores como Samsung, que aún enfrenta desafíos en la producción de 1c DRAM con rendimientos aceptables. Si el ritmo de innovación se mantiene, tú podrías ver módulos de memoria con capacidades y velocidades nunca antes vistas en ordenadores, servidores y dispositivos de inteligencia artificial.
