Samsung ha iniciado una nueva etapa en su negocio de fundición con la producción de chips 2nm GAA (Gate-All-Around), una arquitectura que sustituye a los transistores FinFET tradicionales. Esta tecnología permite mejorar el rendimiento y reducir el consumo energético, factores clave en sectores como la inteligencia artificial, los dispositivos móviles y, ahora, la minería de criptomonedas.
El primer paso visible fue la fabricación del Exynos 2600, el primer SoC producido en masa con esta litografía. A este hito se sumó un acuerdo multimillonario con Tesla, lo que reforzó la percepción de que Samsung busca posicionarse como alternativa real a TSMC. Sin embargo, el verdadero reto está en atraer una base diversa de clientes que garantice la rentabilidad de su nodo de 2nm.
Según el medio surcoreano Hankyung, dos fabricantes chinos de equipos para minería de criptomonedas, MicroBT y Canaan, han confirmado pedidos para utilizar chips 2nm GAA de Samsung en sus próximos productos. MicroBT ocupa el segundo lugar mundial en este mercado, seguido por Canaan. Ambos han apostado por la tecnología de Samsung para integrar estos chips como el núcleo de sus nuevos dispositivos de minería.
La producción de los pedidos de MicroBT ya ha comenzado en la línea S3 de Samsung en Hwaseong, provincia de Gyeonggi. Canaan, por su parte, planea iniciar la fabricación de sus primeros chips a principios de 2026, con entregas previstas para la segunda mitad de ese año. Aunque el volumen de producción representa solo el 10 % de la capacidad total de Samsung en 2nm —unas 2.000 obleas de 300 mm al mes—, el movimiento indica una estrategia clara: diversificar la cartera de clientes y demostrar viabilidad industrial.
No obstante, el mayor actor del sector, Bitmain, aún no ha mostrado interés en cambiar de proveedor. La empresa continúa confiando en TSMC, que ofrece ventajas competitivas como entregas puntuales, procesos más maduros y mejores tasas de rendimiento. Esta reticencia refleja una realidad incómoda para Samsung: su nodo de 2nm aún debe demostrar que puede igualar la eficiencia y fiabilidad del líder taiwanés.
En paralelo, Samsung ha enviado muestras del Snapdragon 8 Elite Gen 5 fabricadas en 2nm a Qualcomm para su evaluación. Sin embargo, la adopción comercial podría retrasarse hasta el lanzamiento del Snapdragon 8 Elite Gen 6, previsto para finales de 2026. Esta estrategia de doble proveedor, en la que Samsung compartiría producción con TSMC, dependerá del rendimiento de su nodo y de la confianza que logre generar.
Para reforzar su capacidad, Samsung también ha planificado la producción de chips 2nm en su planta de Taylor, Texas. ASML, proveedor clave de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV), ha desplegado un equipo especializado para instalar la maquinaria necesaria. Con esta infraestructura, la planta estadounidense podrá fabricar más de 15.000 obleas mensuales hasta 2027, lo que ampliará la capacidad global de Samsung y facilitará acuerdos con clientes norteamericanos.
La carrera por el liderazgo en procesos avanzados no se limita a la tecnología. La confianza del cliente, la estabilidad en la producción y la capacidad de escalar son factores determinantes. Samsung ha demostrado avances, pero aún necesita consolidar su posición frente a TSMC, que mantiene una ventaja significativa en cuota de mercado y madurez tecnológica.
El futuro de los chips 2nm GAA de Samsung dependerá de su capacidad para atraer más socios estratégicos, mejorar sus rendimientos y cumplir los plazos de entrega. La entrada de MicroBT y Canaan es un paso positivo, pero insuficiente por sí solo. La competencia en la fundición de semiconductores se intensifica, y cada cliente cuenta.
| Producto | Samsung 2nm GAA (SF2) para minería de criptomonedas |
|---|---|
| Clientes confirmados | MicroBT, Canaan |
| Proceso de fabricación | 2nm GAA (Gate-All-Around) |
| Inicio de producción | MicroBT: en curso (2025), Canaan: principios de 2026 |
| Ubicación de fabricación | Línea S3, Hwaseong (Corea del Sur) |
| Capacidad mensual | 2.000 obleas de 300 mm (~10 % de capacidad total 2nm) |
| Planta adicional | Taylor, Texas (EE. UU.), capacidad prevista: 15.000 obleas/mes en 2027 |





