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86 GB/s en la nueva RAM LPDDR6 de Synopsys 86 GB/s en la nueva RAM LPDDR6 de Synopsys
Synopsys presenta su IP LPDDR6 con 86 GB/s de ancho de banda, basada en el nodo N2P de TSMC. Un avance clave para memoria... 86 GB/s en la nueva RAM LPDDR6 de Synopsys

Recibimos un nuevo paso decisivo en la evolución de la memoria móvil. Con la presentación de la IP LPDDR6 de Synopsys, basada en el nodo N2P de TSMC, se alcanza un rendimiento de hasta 86 GB/s. Este hito se ha logrado durante el proceso conocido como “silicon bring-up”, que consiste en encender por primera vez un bloque IP para validar su funcionamiento. En este caso, se trata de una arquitectura bajo licencia que cumple con los estándares JEDEC y que promete revolucionar el sector.

El bloque LPDDR6 de Synopsys se compone de dos elementos principales: el controlador y la interfaz PHY. El primero gestiona el protocolo JEDEC, los estados de bajo consumo y la temporización. La interfaz PHY, por su parte, se apoya en las bibliotecas I/O y las pilas metálicas del nodo N2P, lo que permite una integración más eficiente. Este nodo de TSMC destaca por sus cifras PPA (rendimiento, consumo y área), lo que se traduce en menor energía por bit y una huella más compacta.

La LPDDR6 de Synopsys no solo mejora la velocidad. También optimiza el consumo energético, lo que resulta esencial para dispositivos con IA integrada y plataformas móviles que requieren eficiencia. Según datos publicados por Wccftech y TweakTown, el ancho de banda de 86 GB/s se sitúa en línea con la tasa por pin de JEDEC, que ronda los 10.667 Gb/s. El techo teórico alcanza los 14.4 Gb/s por pin, lo que permitiría llegar a 115 GB/s en configuraciones futuras.

Este avance representa una mejora sustancial respecto a LPDDR5. La nueva generación no solo duplica el rendimiento, sino que lo hace con menor consumo y mayor densidad. Esto facilita el cierre de temporización, un aspecto crítico en diseños de alta velocidad. Además, al tratarse de una IP licenciante, otros fabricantes podrán adoptar esta tecnología sin necesidad de desarrollos propios, acelerando su llegada al mercado.

La integración del nodo N2P en memoria LPDDR6 es una novedad. Hasta ahora, este proceso se había reservado para diseños de CPU y GPU. Synopsys demuestra que también puede aplicarse a bloques de memoria, ampliando su utilidad. Esta estrategia permite a los fabricantes reducir costes y mejorar la eficiencia térmica, dos factores clave en dispositivos portátiles y servidores de bajo consumo.

La LPDDR6 de Synopsys está pensada para aplicaciones exigentes. Desde móviles de gama alta hasta sistemas de inteligencia artificial, pasando por plataformas de computación de alto rendimiento. Su adopción podría comenzar en 2026, según estimaciones del sector. Esto marcaría el inicio de una nueva etapa en la evolución de la memoria RAM, con implicaciones directas en diseño, rendimiento y sostenibilidad.

Este desarrollo llega en un momento de tensión en el mercado. Samsung ha anunciado subidas de precios en DRAM y NAND de hasta un 30%, lo que podría acelerar la adopción de soluciones más eficientes. La LPDDR6 de Synopsys se posiciona como una alternativa viable, con ventajas técnicas y económicas.

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