Intel impulsa su memoria ZAM

La memoria ZAM se ha convertido en uno de los avances más comentados dentro del sector tecnológico. La presentación del primer prototipo durante el evento Intel Connection Japan 2026 confirma que la compañía quiere posicionarse en un mercado dominado por soluciones HBM. La arquitectura Z-Angle introduce un enfoque distinto al habitual, con interconexiones diagonales que buscan resolver cuellos de botella térmicos y de computación presentes en los diseños verticales tradicionales. La propuesta pretende ofrecer un salto cualitativo en eficiencia y capacidad, algo que la industria demanda desde hace años.

La colaboración entre Intel y Saimemory, filial de SoftBank, marca un movimiento estratégico. Aunque Intel abandonó el lucrativo negocio DRAM hace décadas, la situación actual del mercado y la presión de la inteligencia artificial han impulsado la necesidad de nuevas alternativas. La memoria ZAM aparece como una respuesta a la dependencia de HBM, cuyo coste, complejidad y limitaciones térmicas generan desafíos constantes. La arquitectura diagonal de ZAM evita perforaciones verticales profundas y distribuye mejor el calor, lo que permite un funcionamiento más estable bajo cargas intensivas.

Durante la presentación, los responsables de Intel destacaron que la memoria ZAM podría reducir el consumo energético entre un cuarenta y un cincuenta por ciento respecto a soluciones actuales. Esta cifra resulta especialmente relevante en centros de datos y sistemas de entrenamiento de modelos de IA, donde la eficiencia energética se ha convertido en un factor crítico. La reducción del calor generado también facilita la integración en configuraciones densas, donde la proximidad entre chips suele provocar pérdidas de rendimiento.

Las 3D de la Memoria ZAM

Otro punto clave es la capacidad por chip. La memoria ZAM aspira a alcanzar hasta quinientos doce gigabytes por módulo, una cifra que supera ampliamente los estándares actuales. Esta densidad permitiría construir sistemas con mayor ancho de banda y menor latencia, algo esencial para cargas de trabajo que requieren acceso continuo a grandes volúmenes de datos. La arquitectura diagonal simplifica el proceso de fabricación, lo que podría reducir costes y acelerar la adopción industrial.

La presencia de altos cargos de Intel en el evento indica que la compañía considera la memoria ZAM un proyecto estratégico. El material mostrado sugiere que Intel asumirá decisiones clave e inversiones iniciales, aunque el desarrollo técnico recaiga en Saimemory. La alianza busca aprovechar la experiencia de ambas partes para acelerar la llegada de una alternativa sólida a HBM. La industria observa este movimiento con interés, ya que la demanda de memoria de alto rendimiento crece sin pausa y las soluciones actuales no siempre cubren las necesidades de los sistemas más avanzados.

La memoria ZAM también plantea un cambio en la forma de diseñar arquitecturas de memoria apilada. La interconexión diagonal distribuye mejor las rutas eléctricas y reduce la resistencia interna, lo que mejora la estabilidad bajo cargas intensivas. Este enfoque podría convertirse en un nuevo estándar si demuestra ventajas sostenidas en producción masiva. La comunidad técnica espera datos más detallados sobre latencias, anchos de banda y compatibilidad con controladores existentes, aspectos que determinarán su adopción real.

El prototipo presentado marca un primer paso, pero la hoja de ruta aún no está definida. La industria necesita soluciones escalables, eficientes y fáciles de fabricar, y la memoria ZAM promete cumplir esos requisitos. La combinación de menor consumo, mayor capacidad y mejor gestión térmica podría situarla como una alternativa viable en un mercado donde la innovación se ha vuelto imprescindible. La expectación crece porque la competencia en el segmento de memoria de alto rendimiento beneficia a fabricantes, desarrolladores y usuarios finales.