Samsung prepara la presentación de LPDDR6 en el próximo CES. La compañía surcoreana busca consolidar su liderazgo en memoria de nueva generación. La novedad no se limita a la DRAM móvil, ya que también ha logrado un avance sorprendente en almacenamiento NAND flash. El desarrollo consigue un ahorro energético del 96 por ciento, un hito que redefine los estándares de eficiencia.
La demanda de memoria crece de forma exponencial en centros de datos dedicados a inteligencia artificial, teléfonos inteligentes y dispositivos conectados. Este aumento implica un consumo eléctrico cada vez mayor. La nueva tecnología de Samsung responde a esa necesidad con una solución que combina rendimiento y sostenibilidad. LPDDR6 se integra en este contexto como pieza clave para reducir costes y mejorar la autonomía de equipos portátiles.
El secreto detrás del nuevo NAND flash reside en los transistores ferroeléctricos. Estos componentes permiten controlar la corriente de fuga y optimizar la eficiencia. El hallazgo fue publicado en la revista científica Nature en un artículo firmado por 34 investigadores. El estudio partió de semiconductores de óxido, considerados poco adecuados para chips de alto rendimiento por su elevado voltaje umbral. Sin embargo, esa característica se convirtió en ventaja para limitar pérdidas energéticas.
La estructura de celdas en serie de la memoria NAND provoca que el consumo aumente con cada capa adicional. El problema se intensifica durante operaciones de lectura y escritura. Los transistores ferroeléctricos bloquean corrientes inferiores al umbral, lo que reduce fugas y mejora la estabilidad. El resultado es un chip capaz de funcionar con un gasto mínimo, incluso en configuraciones de gran capacidad.
El impacto de esta innovación será notable en servidores de inteligencia artificial. Estos sistemas requieren un flujo constante de datos y un almacenamiento de alto rendimiento. Con un consumo reducido, los costes operativos bajan y la huella de carbono disminuye. En el ámbito móvil, LPDDR6 y el nuevo NAND flash permitirán dispositivos más ligeros, con mayor autonomía y menos calor generado.
La hoja de ruta de Samsung incluye la llegada de UFS 5.0 para teléfonos y ordenadores portátiles. Mientras tanto, la comunidad tecnológica espera la comercialización de la memoria con transistores ferroeléctricos. El calendario oficial no se ha confirmado, lo que deja abierta la posibilidad de retrasos inesperados. La compañía ya ha demostrado su capacidad para superar obstáculos, pero el mercado exige plazos claros.
Nosotros observamos cómo la industria se prepara para un cambio profundo. Tú verás cómo LPDDR6 se convierte en estándar y cómo el nuevo NAND flash redefine la eficiencia. La combinación de ambas tecnologías marcará un antes y un después en el diseño de hardware. La investigación académica y la aplicación industrial se unen para ofrecer soluciones que responden a la demanda global.
El futuro de la memoria pasa por reducir consumo sin sacrificar velocidad. Samsung ha dado un paso decisivo en esa dirección. LPDDR6 y el NAND flash con transistores ferroeléctricos representan la evolución necesaria para un mundo digital más exigente. La innovación no solo mejora el rendimiento, también protege el entorno.
| Nombre | Samsung LPDDR6 y NAND Flash con Transistores Ferroeléctricos |
| Fabricante | Samsung Electronics |
| Consumo energético | 96% inferior respecto a NAND tradicional |
| Aplicaciones | Centros de datos IA, smartphones, portátiles |
| Fecha prevista | CES 2026 (presentación oficial) |
| Referencia académica | Artículo en Nature: «Ferroelectric Transistor for Low-Power NAND Flash Memory» |
