AMD acelera la RAM con HB-DIMM

AMD acelera la RAM con una patente que revoluciona el rendimiento sin tocar el silicio. En lugar de rediseñar la arquitectura DRAM, la firma ha optado por modificar la lógica del módulo. Esta solución, denominada HB-DIMM (High Bandwidth DIMM), permite duplicar el ancho de banda de memoria DDR5 mediante una técnica de multiplexado y retemporización. El resultado: pasar de 6,4 Gb/s por pin a 12,8 Gb/s sin alterar el proceso de fabricación del chip.

La clave está en el uso de componentes adicionales como el RCD (Register Clock Driver) y los buffers de datos. Estos elementos permiten combinar dos flujos de DRAM convencionales en uno más rápido hacia el procesador. Así se consigue que el sistema anfitrión reciba el doble de ancho de banda sin necesidad de cambiar el encapsulado ni el tipo de DRAM. Este enfoque reduce la complejidad de actualización y evita los costes asociados a nuevas generaciones de silicio.

La aplicación principal de esta tecnología apunta a cargas de trabajo intensivas en ancho de banda, como inteligencia artificial, análisis de datos o simulaciones científicas. También se contempla su uso en APUs e iGPUs, donde la velocidad de acceso a memoria es crítica. En estos casos, se propone una arquitectura híbrida con dos interfaces: una DDR5 PHY convencional y otra HB-DIMM PHY. La primera gestiona el volumen de datos, mientras que la segunda acelera el flujo hacia el núcleo de procesamiento.

Este diseño beneficia especialmente a sistemas con IA integrada, donde la latencia y el rendimiento determinan la experiencia. En escenarios de edge computing, donde se procesan datos en tiempo real sin depender de la nube, la ventaja es evidente. Sin embargo, esta mejora implica un mayor consumo energético, lo que obliga a implementar soluciones térmicas más eficaces.

AMD demuestra una vez más su liderazgo en innovación de memoria. No es la primera vez que la compañía redefine los estándares: ya lo hizo con HBM (High Bandwidth Memory) en colaboración con SK Hynix. Ahora, con HB-DIMM, se posiciona como referente en soluciones que optimizan el rendimiento sin comprometer la eficiencia ni encarecer el hardware.

La patente US12300346B2 detalla el funcionamiento de esta tecnología, incluyendo diagramas de circuito y flujos de datos. En uno de ellos, se observa cómo los canales PC0 y PC1 alcanzan velocidades de hasta 3,2 Gb/s, que se combinan para lograr el doble de rendimiento. Esta estrategia no requiere rediseñar el controlador de memoria, lo que facilita su adopción en plataformas existentes.

Aunque aún no hay fecha oficial de lanzamiento, esta innovación con la que AMD acelera la RAM podría integrarse en futuras generaciones de servidores, estaciones de trabajo y dispositivos orientados a IA. La compatibilidad con DDR5 garantiza una transición suave, mientras que la lógica HB-DIMM añade valor sin alterar el ecosistema actual.